iPhone 7将搭载新闪存技术 速度暴增

站长之家(chinaz.com)8月7日消息，近期SanDisk和东芝均推出了最新一代的NAND闪存，而根据最新的消息，这种新闪存将很有可能被应用到苹果将在2016年推出的iPhone 7身上，带来更快、更大的存储速度和空间。

iPhone 7将搭载新闪存技术 速度暴增

这次开发的世界首款256Gbit X3 48层3D NAND闪存，采用3bit/cell多值化技术，容量为32GB，据悉无论是在速度还是效率上都要超过现有的任何产品。并且还兼具比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，和低能耗的优势，很适合手机和平板电脑的设备。

苹果和SanDisk、东芝这两家巨头早已是合作伙伴，如此优秀的技术怎么可能收为己有，所以苹果会在第一时间为自己的产品使用这种最新的闪存技术是很有可能的。

离iPhone 6s、iPhone 6s Plus发布还有一段时间，iPhone 7的各种消息漫天飞，果迷们消化得了吗？

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